2003年荣获教育部全国优秀博士学位论文指导教师称号，物联网无锡同年由他为学术带头人的光功能材料的设计、制备与表征获基金委创新研究群体资助。
b)HER极化曲线，源产业跨电流约化为等效电化学表面积。界合调控过程全程在常温常压下进行。
c)Raman谱，作平调控前后信号无明显变化。d)FT-IR谱，成立所有样品中都没有检测到离子液体的红外吸收。a)XRD谱，物联网无锡调控后层间距扩大为将近1nm。
d)PDOS分布，源产业跨进一步表明最紧密堆叠的MoS2的HER性能较高。a)电荷密度分布随层间距变化情况，界合随着层间距增加MoS2纳米片之间电子相互作用降低，其边缘对氢的吸附增强。
在储能（如电池、作平电容）和环境（如吸附金属离子污染）领域，这类策略一般能够凑效。
当排除了各种因素的干扰以后，成立作者们发现，成立相比于在重堆叠过程中形成较为疏松（层间距约1nm）结构的MoS2，重堆叠为最紧密（层间距0.62nm）结构的MoS2意外地显示出较高的HER活性。图五、物联网无锡全电池中微米级SiOx/C和C-SiOx/C颗粒的结构变化（a-b）SiOx/C和C-SiOx/C的嵌脱锂过程示意图。
得益于具有动态稳定的整体界面，源产业跨微米级C-SiOx/C颗粒可有效解决硅基材料不稳定的表界面问题，源产业跨在半电池和全电池中都表现出优异的循环稳定性和倍率性能。由于界面保护层的引入，界合C-SiOx/C的首次充电比容量有略微的降低（图b），界合但由于界面稳定性的提升，首圈CV曲线中对应于生长SEI的宽峰明显减弱（图a），用于生长SEI的容量也有相应减少。
从材料的透射电镜元素分布图（图d）可以看出，作平Si和O的信号集中于SiOx颗粒的位置，作平而C信号区域明显大于Si和O的信号区域，证明了上述Li-PAA包覆和CNTs均匀嵌入的结构。材料的制备过程如图a所示，成立在SiOx/C微米颗粒表面首先吸附阳离子型聚合物电解质PDDA（聚二甲基二烯丙基氯化铵），成立使颗粒表面ζ电势为正，然后通过静电自组装把表面电势为负的CNTs和Li-AA吸附在微米颗粒的表面，然后引发Li-AA的聚合，形成Li-PAA的包覆层且CNTs均匀嵌入其中。
